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HMDS在特定工藝中的具體參數(shù)設(shè)置

更新時(shí)間:2025-03-04      點(diǎn)擊次數(shù):911

HMDS(六甲基二硅氮烷)在光刻工藝中的參數(shù)設(shè)置直接影響光刻膠的附著力與工藝穩(wěn)定性。以下是不同應(yīng)用場景下的具體參數(shù)設(shè)置及優(yōu)化建議:

一、半導(dǎo)體制造(硅片光刻)

1. HMDS氣相處理(Vapor Priming)

2. 旋涂工藝(液態(tài)HMDS)


二、MEMS/傳感器制造

1. 深硅刻蝕(DRIE)前處理

2. 三維結(jié)構(gòu)增附處理


三、顯示面板制造(玻璃基板)

1. 大尺寸基板(G6/G10.5)

2. 柔性O(shè)LED(聚酰亞胺基板)

低溫工藝:

溫度:80–90°C(防止柔性基板熱變形);

時(shí)間:蒸汽處理延長至90–120秒(補(bǔ)償?shù)蜏叵碌姆磻?yīng)速率下降)。

預(yù)清洗:

使用O?等離子體(50 W, 30秒)活化表面,替代傳統(tǒng)高溫烘烤。

HMDS參數(shù)設(shè)置需根據(jù) 基板類型、結(jié)構(gòu)復(fù)雜度、工藝節(jié)點(diǎn) 動態(tài)調(diào)整:




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